Glossary entry (derived from question below)
Dec 15, 2019 10:07
4 yrs ago
English term
drain
English to Ukrainian
Tech/Engineering
Electronics / Elect Eng
field-effect transistor
The second terminal of a FET: drain (D), through which the carriers leave the channel.
Це друге питання про правильний термін для FET. Ще буде третє. Прошу посилань на щось солідніше, ніж Вікі.
Це друге питання про правильний термін для FET. Ще буде третє. Прошу посилань на щось солідніше, ніж Вікі.
Proposed translations
39 mins
Selected
сток
выводы полевых транзисторов называются: исток, сток и затвор
--------------------------------------------------
Note added at 42 mins (2019-12-15 10:49:46 GMT)
--------------------------------------------------
Полевой транзистор
https://ru.wikipedia.org/wiki/Полевой_транзистор
Электроды полевого транзистора называются:
исток (англ. source) — электрод, из которого в канал входят основные носители заряда;
сток (англ. drain) — электрод, через который из канала уходят основные носители заряда;
затвор (англ. gate) — электрод, служащий для регулирования поперечного сечения канала.
--------------------------------------------------
Note added at 47 mins (2019-12-15 10:54:10 GMT)
--------------------------------------------------
Ой, Марта, не помiтив мовну пару :( Стiк, звичайно ж
Польовий транзистор
https://uk.wikipedia.org/wiki/Польовий_транзистор
Схема будови метал-оксидного польового транзистора: source — витік, gate — затвор, drain — стік
--------------------------------------------------
Note added at 1 hr (2019-12-15 11:08:15 GMT)
--------------------------------------------------
Національний технічний університет України ... - КПІ
ela.kpi.ua › jspui › bitstream › KE_lab_praktykum
Схема підсилювача на польовому транзисторі із затвором ...... d – стік (drain) s – витік (source) g – затвор (gate).
МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ
ДНІПРОВСЬКИЙ ДЕРЖАВНИЙ ТЕХНІЧНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
МЕТОДИЧНІ ВКАЗІВКИ до виконання лабораторних робіт з дисципліни «ТВЕРДОТІЛА ЕЛЕКТРОНІКА»
http://www.dstu.dp.ua/Portal/Data/3/22/3-22-lr13.pdf
У середовищі МС струми та напруги польового транзистора позначаються таким чином :ID(J1) -струм стоку;VDS(J1) -напруга стік -витік;VGS(J1) -напруга затвор –витік.Індекси позначень струмів і напруг утворюються з перших букв англійських назв відповідних виводів транзистора. Gate -затвор, Drain -стік; Source -витiк.
--------------------------------------------------
Note added at 1 hr (2019-12-15 11:12:25 GMT)
--------------------------------------------------
Мікроелектронні підсилювачі вимірювальних пристроїв by ...
https://issuu.com › docs › voronkin_2008
У польового транзистора є також три електроди: витік s (source), затвор g (gate) і стік d (drain). Ці електроди відповідають емітеру, базі ...
--------------------------------------------------
Note added at 3 hrs (2019-12-15 13:16:42 GMT)
--------------------------------------------------
СПIНТРОНIКА. ОСНОВНI ЯВИЩА. ТЕНДЕНЦIЇ РОЗВИТКУ
А.М. ПОГОРIЛИЙ, С.М. РЯБЧЕНКО, О.I. ТОВСТОЛИТКIН
Iнститут магнетизму НАН України(Просп. Вернадського, 36б, Київ 03142)
Iнститут фiзики НАН України(Просп. Науки, 46, Київ 03028)
http://archive.ujp.bitp.kiev.ua/files/reviews/6/1/r06_01_03p...
Принципова схема спiнового польового транзистора Датта i Даса [8]:1– витiк спiн-поляризованих носiїв, 2– стiк,що виконує водночас функцiю детектора спiнового стану носi-їв,VG– потенцiал, що прикладається до затвора, n– нормальдо площини структури, k– хвильовий вектор електронiв, щорухаються в каналi пiд дiєю напруги витiк-стiк, Ω– векторкутової швидкостi прецесiї спiнiв електронiв, що може здiйснюватись пiд дiєю VG
--------------------------------------------------
Note added at 42 mins (2019-12-15 10:49:46 GMT)
--------------------------------------------------
Полевой транзистор
https://ru.wikipedia.org/wiki/Полевой_транзистор
Электроды полевого транзистора называются:
исток (англ. source) — электрод, из которого в канал входят основные носители заряда;
сток (англ. drain) — электрод, через который из канала уходят основные носители заряда;
затвор (англ. gate) — электрод, служащий для регулирования поперечного сечения канала.
--------------------------------------------------
Note added at 47 mins (2019-12-15 10:54:10 GMT)
--------------------------------------------------
Ой, Марта, не помiтив мовну пару :( Стiк, звичайно ж
Польовий транзистор
https://uk.wikipedia.org/wiki/Польовий_транзистор
Схема будови метал-оксидного польового транзистора: source — витік, gate — затвор, drain — стік
--------------------------------------------------
Note added at 1 hr (2019-12-15 11:08:15 GMT)
--------------------------------------------------
Національний технічний університет України ... - КПІ
ela.kpi.ua › jspui › bitstream › KE_lab_praktykum
Схема підсилювача на польовому транзисторі із затвором ...... d – стік (drain) s – витік (source) g – затвор (gate).
МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ
ДНІПРОВСЬКИЙ ДЕРЖАВНИЙ ТЕХНІЧНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
МЕТОДИЧНІ ВКАЗІВКИ до виконання лабораторних робіт з дисципліни «ТВЕРДОТІЛА ЕЛЕКТРОНІКА»
http://www.dstu.dp.ua/Portal/Data/3/22/3-22-lr13.pdf
У середовищі МС струми та напруги польового транзистора позначаються таким чином :ID(J1) -струм стоку;VDS(J1) -напруга стік -витік;VGS(J1) -напруга затвор –витік.Індекси позначень струмів і напруг утворюються з перших букв англійських назв відповідних виводів транзистора. Gate -затвор, Drain -стік; Source -витiк.
--------------------------------------------------
Note added at 1 hr (2019-12-15 11:12:25 GMT)
--------------------------------------------------
Мікроелектронні підсилювачі вимірювальних пристроїв by ...
https://issuu.com › docs › voronkin_2008
У польового транзистора є також три електроди: витік s (source), затвор g (gate) і стік d (drain). Ці електроди відповідають емітеру, базі ...
--------------------------------------------------
Note added at 3 hrs (2019-12-15 13:16:42 GMT)
--------------------------------------------------
СПIНТРОНIКА. ОСНОВНI ЯВИЩА. ТЕНДЕНЦIЇ РОЗВИТКУ
А.М. ПОГОРIЛИЙ, С.М. РЯБЧЕНКО, О.I. ТОВСТОЛИТКIН
Iнститут магнетизму НАН України(Просп. Вернадського, 36б, Київ 03142)
Iнститут фiзики НАН України(Просп. Науки, 46, Київ 03028)
http://archive.ujp.bitp.kiev.ua/files/reviews/6/1/r06_01_03p...
Принципова схема спiнового польового транзистора Датта i Даса [8]:1– витiк спiн-поляризованих носiїв, 2– стiк,що виконує водночас функцiю детектора спiнового стану носi-їв,VG– потенцiал, що прикладається до затвора, n– нормальдо площини структури, k– хвильовий вектор електронiв, щорухаються в каналi пiд дiєю напруги витiк-стiк, Ω– векторкутової швидкостi прецесiї спiнiв електронiв, що може здiйснюватись пiд дiєю VG
4 KudoZ points awarded for this answer.
Comment: "Дякую!"
Something went wrong...